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宁波大学2017年博士招生数字集成电路设计基础考试大纲

2017-08-21 11:47:39来源：网络

宁波大学2017年博士招生数字集成电路设计基础考试大纲

　　《数字集成电路设计基础》博士入学考试大纲

　　一、考试内容

　　1、 引言

　　集成电路设计基础。

　　2、制造工艺

　　MOS晶体管制造工艺，了解芯片封装工艺。

　　3、器件

　　半导体器件，MOS管工作特点，器件模型。

　　4、CMOS反相器

　　反相器的电气特性，反相器性能指标的定量分析，反相器设计的优化，工艺缩小对于设计的影响。

　　5、设计组合电路

　　CMOS逻辑门系列――静态和动态、传输晶体管、无比和有比逻辑，优化逻辑门的方法，新型低功耗高性能电路的设计技术。要求掌握组合CMOS数字电路的特点和性能，包括CMOS数字电路的面积、速度和功耗，掌握一些可以明显提高电路性能的逻辑类型。

　　6、设计时序电路

　　寄存器、锁存器、触发器、振荡器、脉冲发生器和施密特触发器的实现，静态与动态电路实现的比较，时钟策略的选择。要求掌握时序模块的CMOS实现方法，学会选择合适的时序电路和时钟方法，以优化电路的性能、功耗和设计复杂性。

　　7、晶体管和版图

　　晶体管的结构、特性，版图的设计方法，版图设计规则以及设计规则的制定原则。要求掌握晶体管的结构及其特性，熟悉版图设计的基本概念和相关技术，了解基本的版图规则。

　　8、线

　　互联线的电路模型，互联参数的量化，导线的SPICE模型，工艺尺寸的减小及它对互联的影响。要求掌握现代半导体工艺中互联线的作用和特征，了解导线相关的寄生参数(电容、电阻、电感)。

　　9、ASIC介绍

　　ASIC类型，设计流程，ASIC经济学，ASIC单元库。

　　10、基于包的ASIC设计

　　门阵列与标准单元设计方法，库单元设计，库结构，布局布线，I/O单元，PAD，封装技术。

　　11、数据通路

　　数据通路，加法器，乘法器，移位器等基本运算功能块

　　12、存储器

　　存储器内核，存储器外围电路等

　　二、考试题型

　　分析论述题、计算题、推导题、作图题

　　三、考试形式

　　笔试、闭卷，考试时间为180分钟，试卷满分为100分。

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本文关键字: 宁波大学 博士研究生 考试大纲

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