考博考生生准备要参加博士研究生考试时，必须要先确定准备攻读博士的相关专业，然后选择该专业有招生需求的学校，接下来应该联系博士生导师，只有当博士生导师同意考生报考，考博生才可以报考。所以提前了解博士生导师的学术文章及联系方式很重要，新东方在线特整理了各招收博士院校博导的简介及联系方式供考博生参考。

　　罗毅 博士，教授

　　•集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华信息科学与技术国家实验室副主任

　　•通讯地址：北京市海淀区清华大学电子工程系 100084

　　•办公室位置：罗姆楼2-307

　　•电话：+86-10-6278-2734

　　•传真：+86-10-6278-4900

　　•电子邮箱：luoy@tsinghua.edu.cn

　　清华大学集成光电子学实验室

　　•清华大学集成光电子实验室组建于1987年，并于1991年1月通过验收、正式运行并对外开放。经过二十几年来的建设，现已成长为国内从事半导体光电子材料与器件及其在光纤通信与网络中的应用技术的主要研究基地之一，在许多重要的研究领域取得了突出成果，产生了一定的国际影响，为研究单位和企业界培养了大量研究人才。目前实验室有教授3名，副教授4名，讲师/助理研究员2名，博士后1名，博士生18名，硕士生12名，SRT学生多名。在师生的共同努力下，实验室获得多项荣誉和奖励，包括：2003年，获山东省科技进步一等奖;2009年，获广东省科技进步一等奖和高等学校科学研究优秀成果奖技术发明二等奖;2010年，获清华大学科研成果推广应用效益奖一等奖;2011年，获国家科技进步二等奖。

　　•主要研究方向：

　　1.面向数字通信的高速半导体激光器、光调制器、探测器，以及相关的集成器件;

　　2.面向RoF系统的高性能光电子器件及高性能微波光纤链路应用技术;

　　3.宽禁带半导体材料物理、外延生长、器件制备及其评测技术;

　　4.面向半导体照明的芯片级和系统级光学设计与热学设计;

　　5.大功率微波放大器的GaN基电子器件制作与测试技术;

　　6.面向新一代量子信息技术的微纳结构器件物理及其制作技术;

　　7.中高温太阳能光热利用和新型太阳能电池。

　　•研究工作受到的主要资助情况：

　　♦科技部973课题、863课题、科技支撑计划课题

　　♦国家自然科学基金课题

　　♦省部级科研项目

　　♦与企业合作横向课题

　　•实验室成员：

　　♦教授：罗毅，孙长征， 郝智彪

　　♦副教授：钱可元、韩彦军、熊兵、王健

　　♦讲师/助理研究员：汪莱、李洪涛

　　♦博士后：裴晓将

　　♦博士研究生：冯泽心、石拓、宫可玮、王嘉星、赵湘楠、钮浪、王磊、胡豫陇、王琨、刘冬、吕文彬、胡健楠、白一鸣、赵凯、李万永、邢雨辰、康健彬、毛祥龙、刘贤文、郑纪元、鄂炎雄

　　♦硕士研究生：朱军浩、郭智博、郭丽丽、胡懿彬、刘振峰、张国旺、胡晓佳、郭祖强、赵越、杨迪

　　•研究生招生：

　　♦具有博士生招生资格教师：罗毅，孙长征、郝智彪、熊兵、王健

　　♦具有硕士生招生资格教师：罗毅，孙长征、郝智彪、钱可元、熊兵、王健、汪莱、李洪涛

　　•实验室网址：http://oa.ee.tsinghua.edu.cn/~luoyi/oelab01/homepage.html

　　教育背景

　　•1990年3月 获得日本东京大学电子工程学系博士学位。博士论文："Studies on Gain-Coupled DFB Semiconductor Lasers."指导老师：多田邦雄(Kunio Tada)教授。

　　博士期间，他首次对增益耦合分布反馈半导体激光器进行了系统的研究。通过液相外延LPE和MOVPE外延，他设计并制造出了两种分别带有损耗光栅及增益光栅的增益耦合分布反馈半导体激光器。

　　•1987年3月 获得日本东京大学电子工程学系硕士学位。硕士论文："Studies on the Gratings Used in DFB Semiconductor Lasers." 指导老师：多田邦雄(Kunio Tada)教授。

　　在此期间，他在光栅制造、干法刻蚀和液相外延领域积累了大量经验。

　　•1983年7月 获得清华大学电子工程系物理电子学,微波器件专业学士学位。

　　工作履历

　　•1992年12月 至今

　　♦受聘为北京清华大学电子工程系教授。致力于研究增益耦合分布反馈激光器，与电吸收调制器单片集成的增益耦合半导体激光器，以及其他种类的半导体光电器件。

　　♦在此期间，他利用分子束外延(MBE)首次研制出带有损耗光栅的GaAlAs/GaAs 多量子阱增益耦合DFB激光器，以及带有电吸收调制器的单片集成增益耦合DFBB激光器。 此外，他提出并使用LPE和MOVPE混合生长法得到周期调制载流子光栅的新型1.55微米InGaAsP / InP增益耦合DFB激光器结构。并在国内首次利用LPE制得了 1.3微米的InGaAsP / InP增益耦合DFB激光器。近年来，他的研究小组成功研制出了1.55微米InGaAsP / InP增益耦合DFB激光器和电吸收调制器的集成器件，这些器件可分别应用于2.5 Gb/s, 10 Gb/s和 40Gb/s的高速光纤系统。从1999年起他开始了对氮化镓基光电器件，其中包括高亮度蓝、绿发光二极管和高功率HEMT器件的研究。自2003年起，他开始研究固态照明的关键技术。

　　♦讲授课程：集成光电子学概论

　　•1992年4月至1992年12月

　　♦为北京清华大学电子工程系讲师。利用分子束外延制作出了带有损耗光栅的GaAlAs/GaAs增益耦合分布反馈激光器。

　　•1990年4月至1992年3月

　　♦在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。利用MOVPE研制高性能的增益耦合分布反馈半导体激光器。在此期间，他做出了许多领先的工作，如带有传导-反转损耗光栅的增益耦合分布反馈激光器，使用增益耦合DFB激光器产生了超低啁啾光脉冲。

　　学术兼职

　　•美国电气及电子工程师协会(IEEE) 量子电子学杂志(Journal of Quantum Electronics)编委(1996-1998年)

　　•日本应用物理学杂志(Japanese Journal of Applied Physics)编委

　　•光波技术杂志(Journal of Lightwave Technology)编委

　　•ECOC(European Conference on Optical Communication)欧洲光通信会议委员会委员

　　研究领域

　　半导体激光器，光调制器以及应用于光纤通信的DFB激光器/ EA调制器集成器件;应用于固态照明及指示的氮化镓基高亮度和高功率LED芯片;基于化合物半导体材料的器件制作技术;利用分子束外延(MBE)以及MOVPE的材料生长; 新型光子器件，光子集成器件，器件模拟;高速光电器件(如DFB半导体激光器/电吸收调制器集成光源)，高功率白光LED的封装技术;非成像光学在白光LED照明系统中的应用，太阳能电池及其应用;太阳热能应用技术。

　　学术成果

　　•发表论文300余篇，SCI收录100余篇，国际会议论文120余篇，中文期刊论文80余篇。

　　•40多项专利，包括18篇日本专利，一篇美国专利，一篇欧洲专利，以及多篇中国专利。