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哈尔滨工业大学2015博士招生半导体物理大纲及参考书目

2015-05-13 14:47:10来源：网络

哈尔滨工业大学2015博士招生半导体物理大纲及参考书目

　　考博复习第一手复习资料及最权威的复习参考书目就是研究生院公布的考博科目考试大纲、参考书目，新东方在线整理了哈尔滨工业大学2015年博士招生考试大纲及参考书目供报考哈尔滨工业大学的考博考生参考复习。

　　课程名称：半导体物理

　　一、考试要求

　　要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能灵活运用，并具有较强的分析问题和解决问题的能力。

　　二、考试内容

　　1.晶态半导体中能带理论

　　(1) 一维周期性势场中电子能量状态(Kronig-Penney模型)

　　(2) 紧束缚近似的能带表述和有效质量

　　(3) 三维周期性势场中电子能量状态

　　(4) 半导体中杂质能级、回旋共振与半导体复杂能带

　　2.载流子的平衡态统计分布

　　(1) 状态密度

　　(2) 费米分布函数、载流子密度分布

　　(3) 非简并情况下的费米能级和载流子密度分布

　　(4) 杂质补偿、重掺简并

　　3.载流子的输运现象

　　(1) 电导率、迁移率

　　(2) 载流子的散射机构

　　(3) 霍尔效应

　　(4) 热电效应

　　4.外界作用引起额外载流子的行为

　　(1) 载流子的注入与复合过程

　　(2) 漂移-扩散-复合方程及其解

　　(3) 稳态建立过程中的少子运动

　　(4) 光致p-n结非平衡

　　5.半导体表面、金属-半导体接触

　　(1) 表面晶格结构及表面电子态

　　(2) 研究表面的主要实验方法

　　(3) 金属-半导体接触的势垒模型

　　(4) 金属-半导体接触的整流理论及势垒高度的测量

　　6.异质结、量子阱及超晶格

　　(1) 异质结的电流输运机构

　　(2) 异质结在器件中的应用

　　(3) 量子阱与二维电子气

　　(4) 多量子阱与超晶格的一般概念

　　三、试卷结构

　　考试时间180分钟，满分100分

　　1.题型结构

　　(1) 概念及简答题，40%

　　(2) 论述题，60%

　　2.内容结构

　　(1) 晶态半导体中能带理论(20%)

　　(2) 载流子的平衡态统计分布(10%)

　　(3) 载流子的输运现象(20%)

　　(4) 外界作用引起额外载流子的行为(20%)

　　(5) 半导体表面、金属-半导体接触(10%)

　　(6) 异质结、量子阱及超晶格(20%)

　　四、参考书目

　　(1)《半导体物理》高等教育出版社 钱佑华、徐至中编著 1999.06.

　　(2)《半导体物理学》科学出版社 李名復著 1991.02.

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本文关键字: 哈尔滨工业大学 博士 考试大纲 参考书目

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