华北电力大学2016博士研究生招生半导体物理大纲

2015-10-15 11:55:38来源：网络

华北电力大学2016博士研究生招生半导体物理大纲

　　研究院校发布的考博大纲是考博考生们了解考博科目考试内容、题型及分值的重要参照物，新东方在线整理了华北电力大学2016博士研究生招生半导体物理大纲供考生们复习。

　　科目编号：3502

　　科目名称：半导体物理

　　一、考试的总体要求

　　本门课程主要考察学生对半导体物理的基本概念、基本理论和基本方法的全面认识，正确理解和运用能力。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。掌握《半导体物理学》中半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;半导体的光学性质、光电与发光等物理现象和非晶半导体部分。

　　二、考试的内容

　　1.基本概念：半导体的电子状态和能带所涉及的如态密度、空穴及有效质量等概念;半导体中杂质和缺陷的基本类型及其特征;半导体中载流子的统计分布;半导体的导电性所涉及的电导率、迁移率及散射等基本概念;非平衡载流子统计分布所涉及的各种复合和非平衡载流子的寿命等概念;pn结及金属半导体接触所涉及的同质结、异质结、欧姆接触、肖特基接触等基本概念;半导体的光学性质和光电与发光现象所涉及的各种跃迁、光伏效应及发光效率等概念。

　　2、基本理论：半导体中电子的状态和能带理论，热缺陷数目的统计，半导体中载流子的统计分布理论，半导体的导电性所涉及的电导率的统计理论，非平衡载流子产生与复合理论，pn结电流电压特性及金属半导体接触整流理论，半导体的光学性质、光电与发光等现象。

　　3.计算方法：态密度、费米能、费米温度、禁带宽度，电子与空穴的有效质量、平均速度，电子与空穴的掺杂、费米能级，电导率和电阻率、迁移率、平均自由时间和平均自由程、电子与空穴的扩散长度与扩散电流，pn结的内建电势差、势垒宽度、金属半导体接触电势差等。

　　三、考试的题型

　　名词解释、简答题、作图题、计算题

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