武汉大学物理科学与技术学院博士生导师简介：郭立平

　　28. Shuoxue Jin, Liping Guo*, Zheng Yang, Zhongpo Zhou, Dejun Fu, Chuangsheng Liu, Rui Tang, Feihua Liu, Yanxin Qiao. Structural Characterization of Nickel-base Alloy C-276 irradiated with Ar ions. Plasma Science and Technology 14 (6), 548-552 (2012)

　　29. Yong Xin, Xin Ju*, Jie Qiu, Liping Guo, Jihong Chen, Zheng Yang, Peng Zhang, Xinzhong Cao, Baoyi Wang, Vacancy-type defects and hardness of helium implanted CLAM steel studied by positron-annihilation spectroscopy and nano-indentation technique, Fusion Engineering and Design 87(5-6), 432-436 (2012)

　　30. Shuoxue Jin, Liping Guo*, Z. Yang, D.J. Fu, C.S. Liu, R. Tang, F.H. Liu，Y.X. Qiao, H.D. Zhang. Microstructural evolution of P92 ferritic/martensitic steel under argon ion irradiation. Materials Characterization 62(1), 136-142 (2011)

　　31. S.X. Jin, Liping Guo*, Z. Yang, D.J. Fu, C.S. Liu, W. Xiao, R. Tang, F.H. Liu, Y.X. Qiao. Microstructural evolution in nickel alloy C-276 after Ar+ ion irradiation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 269(3), 209-215 (2011)

　　32. Z. Q. Chen, L. P. Guo* and F. F. Luo. Markovian and non-Markovian effects on the geometric phase. Europhysics Letters 96(4), 40011 (2011)

　　33. Wenyong Zhang, Liping Guo*, Guoliang Peng, Tiecheng Li, Shixuan Feng, Zhongpo Zhou, Ting Peng, Zuci Quan. Effect of annealing temperature on magnetic proprty of Si1-xCrx thin films. Thin Solid Films 520(2), 769-773 (2011)

　　34. Shuang Yang(本科生), Wenyong Zhang, Jihong Chen, Zhongpo Zhou, Zhiwei Ai, Liping Guo*, Congxiao Liu, Honglin Du. Enhancement of saturation magnetization in Cr-ion implanted silicon by high temperature annealing. Applied Surface Science 257 (20), 8465– 8468 (2011)

　　专利:

　　1. 郭立平、温永明、李铁成、郑中成，用于高温离子辐射的保温装置及加热保温装置，专利号：ZL 2013 2 0658170.X, 授权公告日：2014年6月18日.

　　2. 郭立平、郑中成、李铁成、温永明，用于多束离子辐照的保温装置及加热保温装置，专利号：ZL 2014 2 0032633.6, 授权公告日：2014年6月18日.

　　3. 郭立平、唐睿、胡聪、彭国良，离子注入机中靶室的一种高效加热装置，专利号：201020649176.7，授权公告日：2011年8月31日

　　4. 胡聪(本科生)、郭立平*、唐睿、靳硕学、杨铮，一种用于核材料拉伸试样高温离子辐照的加热装，专利号：201020649176.7，授权公告日：2011年5月4日

　　5. 郭立平、陈济鸿、李铁成、罗凤凤，一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，专利号：201210106104.1，. 专利申请日：2012年4月12日