武汉大学物理科学与技术学院博士生导师简介：刘昌

　　课题组成员：吴昊(博士、副教授)、艾志伟(讲师)、林颖(博士)

　　在读博士研究生：王远，甘学伟、王威，王正，陈超，徐旸，王霄，张国桢

　　已毕业博士：2008：梅菲，张蕾;2009：付秋明;2010：彭挺;2011：吴克敏，周忠坡，潘杨;2013：王倜，艾志伟，林颖，韩涛。

　　已毕业硕士：2006：陈莉，姜慧纯，王颖，韩林;2007：贾顺鹤;2008：刘博，高晶;2009：罗世俊，李莉华;2010：沈铠;2012：安喆。

　　主持科研项目：

　　1.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第二届中韩低维电子和光子材料与器件，2013;

　　2.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第一届中韩低维电子和光子材料与器件，2012;

　　3.国家自然科学基金“离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管”，批准号：11175135，2012-2015;

　　4.国家科技部国际合作重点项目：用于XXX的环境友好技术，2011-2013;

　　5.国家自然科学基金“基于纳米结构的金属-绝缘体-金属超大容量电容器”，批准号：11074192，2011-2013;

　　6.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第五届中韩先进信息功能薄膜研讨会，2010;

　　7.湖北省自然科学基金“分子束外延制备AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管”，批准号：2009，2009-2010;

　　8.国家自然科学基金“离子注入GaN绝缘衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管”，批准号：10775110，2008-2010;

　　9.参加国家973项目“纳米尺度亚光波长结构的制备、光学性质与器件研究”的子课题—“金属基亚光波长纳米结构的奇异光电性质研究”，批准号：2007CB935304，2007-2010;

　　10.宽禁带半导体和铁电体材料异质结构研究，中国科学院上海微系统与信息技术研究所开放基金， 2008-2009;

　　11.武汉市科技计划项目“GaN大功率蓝紫色发光二极管外延片研制与应用”，批准号：200710321077，2007-2009;

　　12.教育部博士点基金“离子束诱发的宽禁带半导体材料非晶化研究”，批准号：20060486047，2007-2009年;

　　13.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“大功率蓝光外延芯片研制”，批准号：2006AA103A01， 2006-2008;

　　14.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“超高亮度绿光外延芯片研制”，批准号：2006AA103A02，2006-2008;

　　15.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“带有静电保护电路的硅片上倒装焊GaN功率芯片的设计、加工和规模化生产”， 批准号：2006AA103A03，2006-2008;

　　16.湖北省光电子产业优秀创新人才资助项目“GaN光电器件研制”，湖北省科技厅2006-2007;

　　17.武汉市发展与改革委员会“高效节能环保型半导体白光源产业化前期关键技术研发”，2006-2008;

　　18.国家自然科学基金“离子注入宽禁带半导体(GaN和ZnO)非晶化研究”，批准号：10475063，2005-2007;

　　19.教育部新世纪人才基金” 宽禁带半导体材料和器件的外延生长及离子注入改性研究”，批准号：NCET-04-0671，2005-2007;

　　20.湖北省科技攻关重点项目“GaN发光芯片应用研究”，批准号：2004AA101A06，2004-2007;

　　21.湖北省自然科学基金“离子注入GaN局部非晶化研究”，批准号：2004ABA079，2005-2006;

　　22.教育部留学回国人员基金“稀土离子掺杂GaN制备白光芯片的理论和实验研究”，批准号： 教外司留[2004]527，2005-2006;

　　23.国家自然科学基金委主任基金“稀土离子注入GaN制备白光芯片”，批准号：10345006，2004。

　　Selected SCI Publications (1997-)：

　　1.T. Wang, H. Wu, H. Zheng, J. B. Wang, Z. Wang, C. Chen, Y. Xu, and C. Liu*, Nonpolar light emitting diodes of m-plane ZnO on c-plane GaN with the Al2O3 interlayer, Appl. Phys. Lett. 102, 141912 (2013).

　　2.Ying Lin, Xing Qiang Liu, Ti Wang, Chao Chen, Hao Wu, Lei Liao and Chang Liu*, Shape-dependent localized surface plasmon enhanced UV-emission from ZnO grown by atomic layer deposition, Nanotechnol. 24, 125705 (Mar. 7, 2013) (5pp)

　　3.T. Wang, Hao Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Blue light emission from the heterostructured ZnO/InGaN/GaN, Nanoscale Research Lett. 8, 99 (2013).

　　4.Zhi Wei Ai, Yun Wu, Hao Wu, Ti Wang, Chao Chen, Yang Xu and Chang Liu*, Enhanced band-edge photoluminescence from ZnO-passivated ZnO nanoflowers by atomic layer deposition, Nanoscale Research Lett. 8, 105 (2013).

　　5.T. Wang, H. Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Improvement of optical performance of ZnO/GaN p-n junctions with an InGaN interlayer, Appl. Phys. Lett. 101, 161905 (2012).

　　6.T. Wang, Hao Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Ultralow Emission Threshold Light-Emitting Diode of Nanocrystalline ZnO/p-GaN Heterojunction，IEEE Elect. Device Lett., 33, 1030 (2012).

　　7.Z. An, F. Q. Liu, Y. Lin, and C. Liu*, The universal definition of spin current, Sci. Rep. 2, 388 (2012).

　　8.T. Wang, H. Wu, C. Chen, and C. Liu*，Growth, optical, and electrical properties of nonpolar m-plane ZnO on p-Si substrates with Al2O3 buffer layers, Appl. Phys. Lett. 100, 011901 (2012).

　　9.Yang Pan, Zheng Wang, Ting Peng, Kemin Wu, Hao Wu, C. Liu*, Improvement of structural and electrical properties of Cu2O films with InN epilayers, J. Cryst. Growth, 334， 46 (2011).

　　10.Z. P. Zhou, S. J. Luo, Y. Wang, Z. W Ai, C. Liu*, D. F. Wang, Y.P. Lee, Room temperature ferromagnetism and hopping transport in amorphous CrN thin films, Thin Solid Films, 519，1989 (2011).

　　11.K. M. Wu, T. Han, K. Shen, B. Liu, T. Peng, Y. Pan, H. D. Sun, and C. Liu*, Growth of vertically aligned InGaN nanorod arrays on p-Type Si substrates for heterojunction diodes, J. Nanosci. Nanotechnol. 10 , 8139 (2010).

　　12.Y. Pan, T. Wang, K. Shen, T. Peng, K. M. Wu, W. Y. Zhang, C. Liu*, Rapid growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers at a low ratio of N/In, J. Cryst. Growth 313, 16 (2010).

　　13.T. Peng, K. Shen, H. Wu, C. Hu, and C Liu*, Room-temperature ferromagnetism and electrical properties of Cu2O/GaN heterostructures, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 315101 ( 2010).

　　14.Q. M. Fu, T. Peng, Y. Pan and C. Liu*, Effects of AlN/GaN superlattices on structural properties of Al0.45Ga0.55N grown on AlN/sapphire templates, J. Kor. Phys. Soc., 55, 2659 (2009).

　　15.H. Wu, J. Yuan, T. Peng, Y. Pan, T. Han, K. Shen, B. R. Zhao, C. Liu*, Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructure, J. Phys. D - Appl. Phys. 18, 185302 (2009).